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中文参数如下:
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:20 V
封装形式:SOT-227
最大工作温度:+ 175 C
栅极—射极漏泄电流:- 400 nA
集电极—射极饱和电压:1.9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:IGBT-Inverter
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
制造商:GeneSiC Semiconductor
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