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中文参数如下:
工厂包装数量:50
最大二极管电容:40 pF
包装形式:Bulk
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
工作温度范围:- 55 C to + 175 C
最大功率耗散:42 W
最大反向漏泄电流:52 uA
正向电压下降:1.9 V
恢复时间:25 ns
最大浪涌电流:65 A
正向连续电流:10 A
峰值反向电压:1200 V
产品:Schottky Silicon Carbide Diodes
RoHS:是
制造商:GeneSiC Semiconductor
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