点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:50
最大二极管电容:8 pF
封装形式:TO-263
安装风格:Through Hole
工作温度范围:- 55 C to + 175 C
最大功率耗散:42 W
最大反向漏泄电流:4 uA
正向电压下降:1.8 V
恢复时间:17 ns
最大浪涌电流:10 A
正向连续电流:1 A
峰值反向电压:1200 V
产品:Schottky Silicon Carbide Diodes
RoHS:是
制造商:GeneSiC Semiconductor
以上是GB01SLT12-252的详细信息,包括GB01SLT12-252厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!