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GB02SHT06-46

厂家：
  GeneSiC Semiconductor
封装：
 TO-46
数量：
 7749  
说明：
 DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
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GB02SHT06-46 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：TO-46
封装/外壳：TO-206AB，TO-46-3 金属罐
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：76pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 600 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 1 A
电流 - 平均整流 (Io)：4A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：GeneSiC Semiconductor

以上是GB02SHT06-46的详细信息，包括GB02SHT06-46厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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