GA50JT06-258

厂家：: GeneSiC Semiconductor
封装：: TO-258
数量：: 1584
说明：: TRANS SJT 600V 100A TO258

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中文参数如下：
：-55°C ~ 225°C（TJ）
功率耗散（最大值）：769W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 50A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：SiC（碳化硅结晶体管）
FET 类型：-
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：GeneSiC Semiconductor

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