G86N06K

厂家：: Goford Semiconductor
封装：: TO-252（DPAK）
数量：: 765
说明：: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：88W
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2860 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：77 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.4 毫欧 @ 4A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：68A
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Goford Semiconductor

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