首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 模块 > FZ600R12KS4

FZ600R12KS4

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 62 mm
数量：: 432
说明：: IGBT 模块 N-CH 1.2KV 700A

一、本商品被浏览0次.

FZ600R12KS4 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：10
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：62 mm
最大工作温度：+ 125 C
功率耗散：3900 W
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：700 A
集电极—射极饱和电压：3.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是FZ600R12KS4的详细信息，包括FZ600R12KS4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器