点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:8
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
封装形式:IHM130
最大工作温度:+ 125 C
功率耗散:7.4 KW
栅极—射极漏泄电流:400 nA
在25 C的连续集电极电流:800 A
集电极—射极饱和电压:4.3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:6300 V
配置:Dual Common Emitter Common Gate
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:否
产品种类:IGBT 模块
制造商:Infineon
以上是FZ400R65KF1的详细信息,包括FZ400R65KF1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!