FSB660_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SSOT-3
数量：: 3015
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation

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FSB660_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：0.5 W
集电极连续电流：2 A
封装形式：SSOT-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：70 at 100 mA at 2 V
增益带宽产品fT：75 MHz
最大直流电集电极电流：2 A
集电极—射极饱和电压：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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