FSB660A

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-23-3
数量：: 9009
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation

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FSB660A PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：75MHz
功率 - 最大值：500 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 500mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 200mA，2A
电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A
晶体管类型：PNP
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：onsemi

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