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FQU2N60CTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: I-PAK
数量：: 3924
说明：: MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

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FQU2N60CTU PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：24 ns
工厂包装数量：70
上升时间：25 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5 S
下降时间：28 ns
包装形式：Tube
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.7 Ohms
漏极连续电流：1.9 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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