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FQU1N60TU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 IPAK
数量：
 3861  
说明：
 MOSFET
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FQU1N60TU PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FQU1N60TU_NL
典型关闭延迟时间：7 ns
工厂包装数量：70
上升时间：25 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.83 S
下降时间：25 ns
包装形式：Tube
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11.5 Ohms
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQU1N60TU的详细信息，包括FQU1N60TU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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