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FQU17N08LTU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 IPAK
数量：
 3339  
说明：
 MOSFET
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FQU17N08LTU-IPAK图片

FQU17N08LTU PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
上升时间：290 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：75 ns
包装形式：Rail
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
漏极连续电流：12.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQU17N08LTU的详细信息，包括FQU17N08LTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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