首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FQT1N60CTF_WS

FQT1N60CTF_WS

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-223
数量：: 6167
说明：: MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel

一、本商品被浏览0次.

FQT1N60CTF_WS PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：4000
上升时间：21 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：27 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11.5 Ohms
漏极连续电流：0.2 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQT1N60CTF_WS的详细信息，包括FQT1N60CTF_WS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：