FQP6N90

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220-3
数量:
 1458  
说明:
 MOSFET 900V N-Channel QFET
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FQP6N90 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FQP6N90_NL
典型关闭延迟时间:95 ns
工厂包装数量:50
上升时间:80 ns
功率耗散:167 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:55 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.9 Ohms
漏极连续电流:5.8 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:900 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

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