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FQP65N06_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220AB
数量：
 3033  
说明：
 MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A
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FQP65N06_Q-TO-220AB图片

FQP65N06_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：90 ns
上升时间：160 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：105 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.016 Ohms
漏极连续电流：65 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQP65N06_Q的详细信息，包括FQP65N06_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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