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FQP5N50C_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220AB
数量：
 2997  
说明：
 MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQP5N50C_Q-TO-220AB图片

FQP5N50C_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
上升时间：46 ns
功率耗散：73 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：5.2 S
下降时间：48 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.4 Ohms
漏极连续电流：5 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQP5N50C_Q的详细信息，包括FQP5N50C_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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