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FQP55N06

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220-3
数量：
 1206  
说明：
 MOSFET
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FQP55N06-TO-220-3图片

FQP55N06 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：60 ns
工厂包装数量：50
上升时间：130 ns
功率耗散：133 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：75 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.02 Ohms
漏极连续电流：55 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQP55N06的详细信息，包括FQP55N06厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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