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FQB6N60TM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 6399
说明：: MOSFET 600V N-Channel QFET

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FQB6N60TM PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FQB6N60TM_NL
典型关闭延迟时间：40 ns
工厂包装数量：800
上升时间：70 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6 S
下降时间：45 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.5 Ohms
漏极连续电流：6.2 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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