中文参数如下：
典型关闭延迟时间：6.4 ns
工厂包装数量：800
上升时间：45 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：22 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.75 Ohms
漏极连续电流：3.6 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：250 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是FQB4N25TM的详细信息，包括FQB4N25TM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
