FQB27N25TM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263
数量:
 5688  
说明:
 MOSFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FQB27N25TM-TO-263图片

FQB27N25TM PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:80 ns
上升时间:270 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :24 S
下降时间:120 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.11 Ohms
漏极连续电流:25.5 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:250 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB27N25TM的详细信息,包括FQB27N25TM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC