首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FQAF20N40

FQAF20N40

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3PF
数量：: 1800
说明：: MOSFET DISC BY MFG 7/03

一、本商品被浏览0次.

FQAF20N40 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：130 ns
上升时间：210 ns
功率耗散：110 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：110 ns
封装形式：TO-3PF
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.22 Ohms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：400 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQAF20N40的详细信息，包括FQAF20N40厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：