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FQAF19N20

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-3P-3 整包
数量：
 5013  
说明：
 MOSFET 200V N-Channel QFET
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FQAF19N20-TO-3P-3 整包图片

FQAF19N20 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：55 ns
工厂包装数量：30
上升时间：190 ns
功率耗散：85 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：12.4 S
下降时间：80 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3PF
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.15 Ohms
漏极连续电流：15 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQAF19N20的详细信息，包括FQAF19N20厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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