FQA8N80_F109

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P
数量：: 1773
说明：: MOSFET 800V N-Channel

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FQA8N80_F109 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：100 ns
工厂包装数量：30
上升时间：110 ns
功率耗散：220 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：80 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.2 Ohms
漏极连续电流：8.4 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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