FQA8N80_F109

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-3P
数量:
 1773  
说明:
 MOSFET 800V N-Channel
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FQA8N80_F109-TO-3P图片

FQA8N80_F109 PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:100 ns
工厂包装数量:30
上升时间:110 ns
功率耗散:220 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:80 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.2 Ohms
漏极连续电流:8.4 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:800 V
晶体管极性:N-Channel
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQA8N80_F109的详细信息,包括FQA8N80_F109厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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