FQA85N06

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P-3，SC-65-3
数量：: 4752
说明：: MOSFET 60V N-Channel QFET

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FQA85N06 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FQA85N06_NL
典型关闭延迟时间：175 ns
工厂包装数量：30
上升时间：230 ns
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：57 S
下降时间：170 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3PN
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.01 Ohms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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