FPN660_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-226
数量:
 801  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation
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FPN660_Q PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:1 W
集电极连续电流:3 A
封装形式:TO-226
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:70 at 100 mA at 2 V
增益带宽产品fT:75 MHz
最大直流电集电极电流:3 A
集电极—射极饱和电压:60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
集电极—基极电压 VCBO:80 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FPN660_Q的详细信息,包括FPN660_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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