FPN660_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-226
数量：: 801
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation

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FPN660_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Bulk
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：1 W
集电极连续电流：3 A
封装形式：TO-226
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：70 at 100 mA at 2 V
增益带宽产品fT：75 MHz
最大直流电集电极电流：3 A
集电极—射极饱和电压：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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