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FPN660A_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-226
数量：
 810  
说明：
 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation
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FPN660A_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Bulk
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：1 W
集电极连续电流：3 A
封装形式：TO-226
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：70 at 100 mA at 2 V
增益带宽产品fT：75 MHz
最大直流电集电极电流：3 A
集电极—射极饱和电压：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FPN660A_Q的详细信息，包括FPN660A_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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