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中文参数如下：
：125°C（TJ）
功率耗散（最大值）：540mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：280 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 1A，4V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta）
漏源电压（Vdss）：20 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Panasonic Electronic Components
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