FJA4210YTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P
数量：: 8028
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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FJA4210YTU PDF参数资料

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中文参数如下：

包装形式：Tube
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：100000 mW
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：90
增益带宽产品fT：30 MHz
最大直流电集电极电流：10 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：140 V
集电极—基极电压 VCBO：200 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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