FJA4310YTU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-3P
数量:
 8046  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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FJA4310YTU PDF参数资料

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中文参数如下:

包装形式:Tube
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:100000 mW
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:90
增益带宽产品fT:30 MHz
最大直流电集电极电流:10 A
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:140 V
集电极—基极电压 VCBO:200 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FJA4310YTU的详细信息,包括FJA4310YTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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