FGL60N100BNTDTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-264-3
数量：: 6903
说明：: IGBT 晶体管 HIGH_POWER

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FGL60N100BNTDTU PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FGL60N100BNTDTU_NL
工厂包装数量：25
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：60 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-264-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：180 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 500 nA
在25 C的连续集电极电流：60 A
栅极/发射极最大电压：+/- 25 V
集电极—射极饱和电压：1.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

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