
点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
:
封装封装/外壳:模块
安装类型:底座安装
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:20mW
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):48400pF @ 800V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):1600nC @ 18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.15V @ 224mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.27 毫欧 @ 400A,18V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400A(Tj)
漏源电压(Vdss):1200V
FET 功能:-
配置:4 N 沟道(全桥)
技术:碳化硅(SiC)
产品状态:在售
包装:EasyPACK?, CoolSiC?
系列:托盘
品牌:Infineon Technologies
以上是FF2MR12W3M1HB11BPSA1的详细信息,包括FF2MR12W3M1HB11BPSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!