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中文参数如下:
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封装封装/外壳:模块
安装类型:底座安装
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):39700pF @ 800V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):1340nC @ 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.15V @ 224mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.13 毫欧 @ 500A,15V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500A(Tc)
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
FET 功能:-
配置:2 个 N 通道(半桥)
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:在售
包装:CoolSiC?
系列:托盘
品牌:Infineon Technologies
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