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FDW258P_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TSSOP-8
数量：: 8118
说明：: MOSFET 12V/8V PCh MOSFET

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FDW258P_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：201 ns
上升时间：23 ns
功率耗散：1.3 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：50 S
下降时间：23 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Triple Drain Quad Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.011 Ohms
漏极连续电流：- 9 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDW258P_Q的详细信息，包括FDW258P_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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