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FDU8896_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-251
数量：
 7920  
说明：
 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
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FDU8896_Q-TO-251图片

FDU8896_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：53 ns
上升时间：106 ns
功率耗散：80 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：41 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-251
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0057 Ohms
漏极连续电流：94 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDU8896_Q的详细信息，包括FDU8896_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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