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FDS8858CZ

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 8-SOIC
数量：
 8712  
说明：
 MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
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FDS8858CZ PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：19 ns, 33 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：3 ns, 10 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：27 S / 21 S
下降时间：3 ns, 16 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：17 m Ohms / 20.5 m Ohms
漏极连续电流：8.6 A, - 7.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/- 25 V
汲极/源极击穿电压：30 V / - 60 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS8858CZ的详细信息，包括FDS8858CZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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