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FDS8333C_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 8210
说明：: MOSFET N & PCh PowerTrench 3V

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FDS8333C_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：19 ns, 11 ns
上升时间：6 ns, 13 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5 S
下降时间：1.5 ns, 2 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：67 mOhms, 105 mOhms
漏极连续电流：4.1 A, - 3.4 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V, +/- 20 V
汲极/源极击穿电压：+/- 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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