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FDP2532_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220AB
数量：
 6570  
说明：
 MOSFET 150V NCh UltraFET Power Trench
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FDP2532_Q-TO-220AB图片

FDP2532_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：39 ns
上升时间：30 ns
功率耗散：310 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：17 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：16 m Ohms
漏极连续电流：79 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP2532_Q的详细信息，包括FDP2532_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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