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FDP027N08B_F102

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220
数量：
 8019  
说明：
 MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm
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FDP027N08B_F102-TO-220图片

FDP027N08B_F102 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：400
功率耗散：246 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.21 mOhms
漏极连续电流：223 A
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP027N08B_F102的详细信息，包括FDP027N08B_F102厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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