FDMS86150A

厂家：: onsemi
封装：: Power56
数量：: 972
说明：: FET 100V 4.85 MOHM PQFN56

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FDMS86150A PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.7W（Ta），113W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4665 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：66 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.85 毫欧 @ 16A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta），60A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：PowerTrench?
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

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