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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:11.9 nS, 17.4 nS
工厂包装数量:3000
上升时间:1.2 nS, 1.8 nS
功率耗散:2.2 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:7.2 nC, 15.6 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :22 S, 53 S
下降时间:1.4 nS, 1.5 nS
包装形式:Reel
封装形式:Power 56
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Asymmetric Triple Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):20 mOhms at 10 V, 11.2 mOhms at 10 V
漏极连续电流:10.1 A, 12.4 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
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