FDMC8200_F128

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: Power 33
数量：: 5688
说明：: MOSFET Dual N-CH 30V 12A

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FDMC8200_F128 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：2.2 W
最小工作温度：- 55 C
封装形式：Power 33
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
漏极连续电流：12 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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