FDM606P_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: MicroFET-8
数量：: 6003
说明：: MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V

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FDM606P_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：134 ns
上升时间：46 ns
功率耗散：1.92 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：46 ns
包装形式：Reel
封装形式：MicroFET-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.026 Ohms
漏极连续电流：- 6.8 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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