FDH40N50F

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-247
数量：: 5571
说明：: MOSFET High Voltage General Purpose

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FDH40N50F PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：150
上升时间：123 ns
功率耗散：625 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：65 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.13 Ohms
漏极连续电流：42 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDH40N50F的详细信息，包括FDH40N50F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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