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FDD8896_NBSW006

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: DPAK
数量：: 1089
说明：: MOSFET 30V35A5.7M0 DPAK NCHPWR TRNCH MOSFET

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FDD8896_NBSW006 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：53 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：106 ns
功率耗散：80 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：46 nC
下降时间：41 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.7 mOhms
漏极连续电流：94 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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