FDD6670A_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-252
数量:
 5925  
说明:
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
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FDD6670A_Q PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:29 ns
上升时间:12 ns
功率耗散:3.2 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :60 S
下降时间:19 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.008 Ohms
漏极连续电流:66 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDD6670A_Q的详细信息,包括FDD6670A_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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