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FDC6322C_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SSOT-6
数量：: 7457
说明：: MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH

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FDC6322C_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：4 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
上升时间：4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
功率耗散：0.9 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5 Ohms / 1.5 Ohms
漏极连续电流：+ 0.22 A, - 0.46 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：+/- 25 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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