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FDC6305N_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SSOT-6
数量：
 4401  
说明：
 MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
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FDC6305N_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：11 ns
上升时间：8.5 ns
功率耗散：0.9 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：8 S
下降时间：8.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.06 Ohms
漏极连续电流：2.7 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6305N_Q的详细信息，包括FDC6305N_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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