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FDC6020C_F077

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SuperSOT?-6 FLMP
数量：: 4311
说明：: MOSFET Complementary PwrTrh

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FDC6020C_F077 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：18 nS, 26 nS
工厂包装数量：3000
上升时间：16 nS, 8 nS
功率耗散：1800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16 nsS, 8 nS
包装形式：Reel
封装形式：SSOT FLMP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：27 mOhms at 4.5 V at N Channel, 55 mOhms at 4.5 V at P Channel
漏极连续电流：5.9 A, - 4.2 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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