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FDB8878

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 3915  
说明：
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
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FDB8878-D2PAK（TO-263）图片

FDB8878 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：14.8 ns
工厂包装数量：800
上升时间：244 ns
功率耗散：47.3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms at 10 V
漏极连续电流：48 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB8878的详细信息，包括FDB8878厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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